冷热分离真空共晶炉—— V3DM

焊接温度：V3DM冷热分离真空共晶炉实际焊接最高温度≤600℃。 

真 空 度：极限真空度≤0.3 Pa 工作真空5Pa-200Pa。 

温度均匀性：有效焊接面积内≤±1%。 

有效焊接面积：≤300mm*300mm 

炉膛高度： ≤100mm。

加热方式：采用底部红外辐射加热+顶部红外辐射加热，热板采用半导体级石墨镀碳化硅平台， 

石墨镀碳化硅平台长期使用不易变形

升温速率：升温速率≤150℃/min。 

V3DM冷热分离真空共晶炉配置了上加热，提高加热效率的同时，使平台温度更加均匀，提高焊 

接一致性及质量。 

冷却速率：冷却速率≤200℃/min（空载最高温-150℃范围）。 

碳化硅加热平台：采用气冷+水冷结合冷却方式，实现热板的快速冷却，提高降温速率，并且实现在降温过程中温差过大造成器件烧结不良。 

满足各种焊料（≤450℃）的焊接要求。 

例如：In97Ag3、In52Sn48、Au80Sn20、SAC305、Sn90Sb10、Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2 

等预成型焊片（可无助焊剂共晶焊接）和各种成份的焊膏。 

焊接空洞率： 

V3DM冷热分离真空共晶炉在软钎焊料焊接时，经过大量客户验证，空洞率可控制在2%以下。 

可选正压模块： 

设备可以选配正压模块≤0.2Mpa，可满足正压、负压工艺要求。正压工艺可有效解决微小器件在焊接过程中移位问题（MiniLED、MicroLED等）、解决焊膏工艺助焊剂飞溅问题（引线框架类产品）。 

控温系统及测温系统 

V3DM冷热分离真空共晶炉采用先进的智能控温技术，控温精度在±1℃。 

V3DM冷热分离真空共晶炉温度曲线可设定最多40段温度，并配置3组PID（6组可选）设定，更精准控制温度，保证焊接一致性及可靠性。温度控制属于滞后控，而PID控制是具有超前调节的作用，可提高控温精度以及稳定性。 

V3DM冷热分离真空共晶炉腔体内标配2组测温热电偶，设备工作时可实时反馈腔体内任意位置的温度，并在控制软件中实时显示测温的温度曲线，更好的保证焊接区域的温度控制，为取得良好的工艺曲线提供支持。

腔体气氛环境 

V3DM冷热分离真空共晶炉可充入氮气惰性气体辅助焊接，同时满足甲酸、氮氢混合气体（5%氢气95%氮气）还原气氛工艺。工艺气氛可由时间或者由MFC质量流量计精准控制，保证每次设定工艺完成的一致性。满足无助焊剂情况下焊接。 

V3DM冷热分离真空共晶炉配置软件控制系统： 

软件控制系统基于Windows操作系统，操作简单。 

可通过温度、时间、压力、真空等工艺条件进行工艺编程，软件工艺自动控制整个工艺过程。 

工艺曲线编程的工艺动作无限多个，满足复杂工艺要求。 

控制系统满足各种焊接工艺曲线，并根据工艺不同进行设定、修改、存储、调用。 

控制系统自带分析功能，能对工艺曲线进行分析，确定升温、恒温、降温等信息。 

软件控制系统自动的实时记录焊接工艺及控温、测温曲线，保证器件工艺的可追溯性，按照工艺工作时间自动存储在相应目录。 

V3DM冷热分离真空共晶炉采用全自动闭合式腔体结构，保证长期使用的可靠性，使用过程中上盖自动关闭时不会造成器件移位，避免器件震动影响焊接质量。单腔室工艺同时满足加热和冷却的要求。防夹手设计，保护操作人员安全。 

V3DM冷热分离真空共晶炉，上盖带有可照明视窗，可通过显微镜观察器件烧结过程。上盖自动升降，除手工取放件外，其它操作软件自动控制完成。 

V3DM加热板为纯材质，没有增加冷水管等结构，温度更加均匀。 

V3DM冷却方式采用中科同志水冷却技术，加热时水冷不影响热场的温度均匀度，冷却时每个加热板有六组独立的水冷装置，冷却时温度均匀度更高。特别适合金锡共晶、铟焊料共晶的高质量封装焊接。

1、锁门方式：通过程序自动锁门 

2、加热管安装方式：底部和顶部呈90度分布，能保证温度均匀度，尤其是加热板四个边缘。 

3、加热管自带石英套管，更换加热管时不影响炉腔的真空，方便快捷。 

4、通过特殊设计的支架确保加热管在石英管的中央位置，可有效延长石英管的寿命。 

5、加热管背面带高温镀层，能提升热量的利用率。 

6、真空炉腔为CNC一体化加工而成，减少焊接的漏焊风险，真空稳定性高达10年以上。 

7、真空门自动锁紧装置为CNC一体化加工而成，有效提高微正压的稳定性，可长期使用。 

8、真空腔冷却管路为CNC一体化加工而成，杜绝真空腔冷水管焊接漏水的风险。 

9、真空腔采用特殊材料加工，加上12年的真空设计和工艺积淀而成，确保配置真空油泵达到3*10-1pa 真空干泵1.3pa

北京中科同志科技股份有限公司（以下简称“中科同志”），专业从事半导体设备的研发、生产、销售并举的高新技术企业，产品主要包括银烧结设备、倒装芯片共晶贴片机、亚微米级贴片机、高精度粘片机、真空共晶炉、真空回流焊等。公司致力于碳化硅功率芯片的封装，纳米银烧结印刷机、纳米银贴片机、纳米银正压烧结炉、真空烧结炉，目前在车规级碳化硅MOSFET、大功率IGBT等领域有成熟的封装工艺。