RTP系列真空退火炉——RTP300

RTP系列真空退火炉采用红外辐射加热技术，实现快速升温，快速降温的真空退火设备。该系列设备快速升温、快速降温，可实现快速退火工艺、快速热处理工艺、快速氧化工艺、快速热氮化工艺以及金属合金化工艺。

RTP300真空退火炉采用上下红外加热方式，采用独特加热管安装方式，升温速度更快，加热温度均匀性更高，同时上下加热采用多温区分布，控温精度更高。

RTP300最大满足12英寸产品工艺，并向下兼容。满足客户不同产品需求。通过极快的升温速率，将晶圆或者材料快速加热到300℃-1000℃，从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷，改善产品性能。

应用领域：可应用于第三代半导体材料氮化镓、碳化硅的退火工艺等。该退火炉被广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产，和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理来改善晶体结构和光电性能、技术指标更高、工艺更复杂，专用性更强。

1、真正的真空环境下的退火，真空度可达1pa。

2、保压率：30分钟内腔体真空可达30pa（抽到5Pa,关闭阀门开始保压）

3、专业的软件控制，达到完美的操作体验。

4、高达行业40段的可编程温度控制系统，可以设置最完美的工艺曲线。

5、根据不同的材料特性，设置出不同的退火工艺。

6、冷却技术可实现快速降温效果（标配）。

7、在线测温功能。实现退火区域温度均匀度的测量。为工艺调校提供专家级的支持。

8、氮气或者其他惰性气体，满足不同工艺的退火要求。

9、满足上下腔室同时加热的需求。