冷热分离真空共晶炉 —— V4DM

焊接温度：实际焊接最高温度≤600℃。 

真空度：极限真空度≤10 Pa 工作真空50Pa-200Pa。 

有效焊接面积：≥380mm*310mm 

炉膛高度： ≥100mm。 

加热方式：采用底部红外辐射加热+顶部红外辐射加热，热板采用半导体级石墨镀碳化硅平台，石墨镀碳化硅平台长期使用不易变形，而且具有很高导热性，使热板表面温度更加均匀。

温度均匀性：有效焊接面积内≤±2%。 

升温速率：最大升温速率120℃/min。 

V4DM冷热分离真空共晶炉配置了上加热，提高加热效率的同时，使平台温度更加均匀，提高焊接一致性及质量。 

冷却速率：最大冷却速率120℃/min（空载最高温-150℃范围）。 

碳化硅加热平台：采用气冷+水冷结合冷却方式，实现热板的快速冷却，提高降温速率，并且实现在降温过程中温差过大造成器件烧结不良。 

满足各种焊料（≤450℃）的焊接要求。 

例如: In97Ag3、In52Sn48、Au80Sn20、SAC305、Sn90Sb10、Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2等预成型焊片（可无助焊剂共晶焊接）和各种成份的焊膏。

焊接空洞率： 

V4DM冷热分离真空共晶炉在软钎焊料焊接时，经过大量客户验证，空洞率可控制在2%以下。

可选正压模块：

设备可以选配正压模块≤0.2Mpa，可满足正压、负压工艺要求。正压工艺可有效解决微小器件在焊接过程中移位问题（MiniLED、MicroLED等）、解决焊膏工艺助焊剂飞溅问题（引线框架类产品）。 

控温系统及测温系统

V4DM冷热分离真空共晶炉采用先进的控温技术，控温精度在±1℃。 

V4DM冷热分离真空共晶炉温度曲线可设定最多40段温度，并配置6组PID设定，更精准控制温度，保证焊接一致性及可靠性。温度控制属于滞后控，而PID控制是具有超前调节的作用，可提高控温精度以及稳定性。 

V4DM冷热分离真空共晶炉腔体内标配2组测温热电偶，设备工作时可实时反馈腔体内任意位置的温度，并在控制软件中实时显示测温的温度曲线，更好的保证焊接区域的温度控制，为取得良好的工艺曲线提供支持。 

腔体气氛环境 

V4DM冷热分离真空共晶炉可充入氮气惰性气体辅助焊接，同时满足甲酸、氮氢混合气体（5%氢气95%氮气）还原气氛工艺。工艺气氛可由时间或者由MFC质量流量计精准控制，保证每次设定工艺完成的一致性。满足无助焊剂情况下焊接。 

V4DM冷热分离真空共晶炉配置软件控制系统： 

软件控制系统基于Windows操作系统，操作简单。 

可通过温度、时间、压力、真空等工艺条件进行工艺编程，软件工艺自动控制整个工艺过程。 

工艺曲线编程的工艺动作无限多个，满足复杂工艺要求。 

控制系统满足各种焊接工艺曲线，并根据工艺不同进行设定、修改、存储、调用。 

控制系统自带分析功能，能对工艺曲线进行分析，确定升温、恒温、降温等信息。 

软件控制系统自动的实时记录焊接工艺及控温、测温曲线，保证器件工艺的可追溯性，按照工艺工作时间自动存储在相应目录。 

V4DM冷热分离真空共晶炉采用全自动闭合式腔体结构，保证长期使用的可靠性，使用过程中上盖自动关闭时不会造成器件移位，避免器件震动影响焊接质量。单腔室工艺同时满足加热和冷却的要求。

V4DM冷热分离真空共晶炉，上盖带有视窗，可通过显微镜观察器件烧结过程。上盖自动升降，除手工取放件外，其它操作软件自动控制完成。

V4DM加热板为纯材质，没有增加冷水管等结构，温度更加均匀。 

V4DM冷却方式采用中科同志第五代获得国家的冷水技术，加热时水冷不影响热场的温度均匀度，冷却时每个加热板有六组独立的水冷装置，冷却时温度均匀度更高。特别适合金锡共晶、铟焊料共晶的高质量封装焊接。

【标 配】 

1、主机一台            2、工业级控制电脑一台            3、真空烧结炉控制软件系统一套             4、氮气气氛系统、甲酸气氛系统                     5、MFC质量流量计一台               6、石墨镀碳化硅加热平台 

【选 配】 

1、真空泵（机械干泵）       2、分子泵系统             3、氮氢数字化混合气氛系统              4、正压模块                 5、CCD视觉/显微镜             6、氮氢混合气气氛

北京中科同志科技股份有限公司（以下简称“中科同志”），专业从事半导体设备的研发、生产、销售并举的高新技术企业，产品主要包括银烧结设备、倒装芯片共晶贴片机、亚微米级贴片机、高精度粘片机、真空共晶炉、真空回流焊等。公司致力于碳化硅功率芯片的封装，纳米银烧结印刷机、纳米银贴片机、纳米银正压烧结炉、真空烧结炉，目前在车规级碳化硅MOSFET、大功率IGBT等领域有成熟的封装工艺。