真空正压焊接封装炉 —— VPO300

1、焊接温度：VPO300型真空正压烧结炉实际焊接最高温度≥800℃。 

2、真 空 度：极限真空度≤ 5×10-2 torr。 

3、正压能力：0.5Mpa(1Mpa可选配) 

4、有效焊接面积：≥300mm*300mm 

5、炉膛内径/高度： 内径480mm，高度≥65mm（120MM/220mm高度可选）

6、加热方式：采用底部红外辐射加热，热板采用碳化硅平台，碳化硅平台长期使用不易变形，而且具有很高导热性，使热板表面温度更加均匀。 

7、温度均匀性：有效焊接面积内≤±1%。加热平台是纯的承片平台，没有水冷管，温度均匀度会更高。 

8、升温速率：最大升温速率120℃/min。 

9、冷却速率：最大冷却速率120℃/min（空载最高温-150℃范围）。碳化硅加热平台：采用气冷+水冷结合冷却方式，实现热板的快速冷却，提高降温速率，并且实现在降温过程中温差过大造成器件烧结不良。 

10、满足各种焊料（＞800℃）的焊接要求。尤其是和满足中等正压的纳米银材料烧结。 

11、焊接空洞率：VPO300在软钎焊料焊接时，经过大量客户验证，空洞率可控制在2%以下。

12、可选高正压模块：设备可以选配正压模块≤1Mpa，可满足正压、负压工艺要求。正压工艺可有效解决微小器件在焊接过程中移位问题，同时可有效提升焊料的金属密度。正压工艺可有效解决助焊剂飞溅的问题。 

13、 控温系统及测温系统 

13.1、VPO300型真空正压焊接封装炉采用先进的控温技术，控温精度在±1℃。 

13.2、VPO300型真空正压焊接封装炉温度曲线可设定最多40段温度，并配置6组PID设定，更精准控制温度，保证焊接一致性及可靠性。温度控制属于滞后控，而PID控制是具有超前调节的作用，可提高控温精度以及稳定性。 

13.3、VPO300型真空正压焊接封装炉腔体内标配2组测温热电偶，设备工作时可实时反馈腔体内任意位置的温度，并在控制软件中实时显示测温的温度曲线，更好的保证焊接区域的温度控制，为取得良好的工艺曲线提供支持。 

13、腔体气氛环境 

VPO300可充入氮气惰性气体辅助焊接，同时满足甲酸、氮氢混合气体（5%氢气95%氮气）还原气氛工艺。工艺气氛可由时间或者由MFC质量流量计精准控制，保证每次设定工艺完成的一致性。满足无助焊剂情况下焊接。 

14、VPO300型真空正压烧结炉配置软件控制系统： 

14.1 软件控制系统基于Windows操作系统，操作简单。 

14.2 通过温度、时间、压力、真空等工艺条件进行编程，软件工艺自动控制整个工艺过程。 

14.3 工艺曲线编程的工艺动作无限多个，满足复杂工艺要求。 

14.4 控制系统满足各种焊接工艺曲线(预设工艺5个)，并根据工艺不同进行设定、修改、存储(电脑存储，无限数量)、调用。 

14.5 控制系统自带分析功能，能对工艺曲线进行分析，确定升温、恒温、降温等信息。 

14.6 软件控制系统自动的实时记录焊接工艺及控温、测温曲线，保证器件工艺的可追溯性，按照工艺工作时间自动存储在相应目录。 

15、采用全自动闭合式腔体结构，保证长期使用的可靠性，使用过程中上盖自动关闭时不会造成器件移位，避免器件震动影响焊接质量。单腔室工艺同时满足加热和冷却的要求。 

16、上盖自动升降旋转（升降高度≥10mm,回转角度≥150度），除手工取放件外，其它操作软件自动控制完成,工作台面高度约880mm±50mm。 

17、加热板为纯材质，没有增加冷水管等结构，温度更加均匀。 

18、VPO300冷却方式采用中科同志第六代水冷技术，加热时水冷不影响热场的温度均匀度，冷却时加热板和水冷系统精密配合，完成快速水冷，同时冷却时温度均匀度更高。特别适合更高质量封装焊接，譬如碳化硅芯片的封装焊接。

北京中科同志科技股份有限公司（以下简称“中科同志”），专业从事半导体设备的研发、生产、销售并举的高新技术企业，产品主要包括银烧结设备、倒装芯片共晶贴片机、亚微米级贴片机、高精度粘片机、真空共晶炉、真空回流焊等。公司致力于碳化硅功率芯片的封装，纳米银烧结印刷机、纳米银贴片机、纳米银正压烧结炉、真空烧结炉，目前在车规级碳化硅MOSFET、大功率IGBT等领域有成熟的封装工艺。