1、焊接温度:VPO300型真空正压烧结炉实际焊接最高温度≥800℃。
2、真 空 度:极限真空度≤ 5×10-2 torr。
3、正压能力:0.5Mpa(1Mpa可选配)
4、有效焊接面积:≥300mm*300mm
5、炉膛内径/高度: 内径480mm,高度≥65mm(120MM/220mm高度可选)
6、加热方式:采用底部红外辐射加热,热板采用碳化硅平台,碳化硅平台长期使用不易变形,而且具有很高导热性,使热板表面温度更加均匀。
7、温度均匀性:有效焊接面积内≤±1%。加热平台是纯的承片平台,没有水冷管,温度均匀度会更高。
8、升温速率:最大升温速率120℃/min。
9、冷却速率:最大冷却速率120℃/min(空载最高温-150℃范围)。碳化硅加热平台:采用气冷+水冷结合冷却方式,实现热板的快速冷却,提高降温速率,并且实现在降温过程中温差过大造成器件烧结不良。
10、满足各种焊料(>800℃)的焊接要求。尤其是和满足中等正压的纳米银材料烧结。
11、焊接空洞率:VPO300在软钎焊料焊接时,经过大量客户验证,空洞率可控制在2%以下。
12、可选高正压模块:设备可以选配正压模块≤1Mpa,可满足正压、负压工艺要求。正压工艺可有效解决微小器件在焊接过程中移位问题,同时可有效提升焊料的金属密度。正压工艺可有效解决助焊剂飞溅的问题。
13、 控温系统及测温系统
13.1、VPO300型真空正压焊接封装炉采用先进的控温技术,控温精度在±1℃。
13.2、VPO300型真空正压焊接封装炉温度曲线可设定最多40段温度,并配置6组PID设定,更精准控制温度,保证焊接一致性及可靠性。温度控制属于滞后控,而PID控制是具有超前调节的作用,可提高控温精度以及稳定性。
13.3、VPO300型真空正压焊接封装炉腔体内标配2组测温热电偶,设备工作时可实时反馈腔体内任意位置的温度,并在控制软件中实时显示测温的温度曲线,更好的保证焊接区域的温度控制,为取得良好的工艺曲线提供支持。
13、腔体气氛环境
VPO300可充入氮气惰性气体辅助焊接,同时满足甲酸、氮氢混合气体(5%氢气95%氮气)还原气氛工艺。工艺气氛可由时间或者由MFC质量流量计精准控制,保证每次设定工艺完成的一致性。满足无助焊剂情况下焊接。
14、VPO300型真空正压烧结炉配置软件控制系统:
14.1 软件控制系统基于Windows操作系统,操作简单。
14.2 通过温度、时间、压力、真空等工艺条件进行编程,软件工艺自动控制整个工艺过程。
14.3 工艺曲线编程的工艺动作无限多个,满足复杂工艺要求。
14.4 控制系统满足各种焊接工艺曲线(预设工艺5个),并根据工艺不同进行设定、修改、存储(电脑存储,无限数量)、调用。
14.5 控制系统自带分析功能,能对工艺曲线进行分析,确定升温、恒温、降温等信息。
14.6 软件控制系统自动的实时记录焊接工艺及控温、测温曲线,保证器件工艺的可追溯性,按照工艺工作时间自动存储在相应目录。
15、采用全自动闭合式腔体结构,保证长期使用的可靠性,使用过程中上盖自动关闭时不会造成器件移位,避免器件震动影响焊接质量。单腔室工艺同时满足加热和冷却的要求。
16、上盖自动升降旋转(升降高度≥10mm,回转角度≥150度),除手工取放件外,其它操作软件自动控制完成,工作台面高度约880mm±50mm。
17、加热板为纯材质,没有增加冷水管等结构,温度更加均匀。
18、VPO300冷却方式采用中科同志第六代水冷技术,加热时水冷不影响热场的温度均匀度,冷却时加热板和水冷系统精密配合,完成快速水冷,同时冷却时温度均匀度更高。特别适合更高质量封装焊接,譬如碳化硅芯片的封装焊接。
型号 | VP0300 |
焊接面积 | 300*300mm |
焊接高度 | 65mm(其它高度可定制) |
温度范围 | 最高可达400℃ |
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