高真空共晶炉——HV3-3

焊接温度：HV3-3型真空共晶炉实际焊接最高温度≤500℃。 

真 空 度：极限真空度≤10-5Pa 工作真空：10-5Pa。 

有效焊接面积：≤300mm*300mm 

炉膛高度： ≤100mm,特殊高度定制。 

加热方式：采用底部红外辐射加热+顶部红外辐射加热，热板采用半导体级碳化硅石墨平台，碳化硅石墨平台长期使用不易变形，而且具有很高导热性，使热板表面温度更加均匀。 

温度均匀性：有效焊接面积内≤±2%。 

升温速率：石墨加热平台最大升温速率≤120℃/min。 

HV3-3真空共晶炉选上加热，提高加热效率的同时，使平台温度更加均匀，提高焊接一致性及质量，升温速率可控。 

冷却速率：最大冷却速率60-120℃/min（空载最高温降温100℃的斜率）。 

石墨加热平台：采用气冷+水冷结合冷却方式，实现热板的快速冷却，提高降温速率，并且实现在降温过程中温差过大造成器件烧结不良，降温速率可通过工艺进行控制，同时满足缓慢降温要求。 

满足≤500℃的焊接材料焊接要求。 

例如： In97Ag3、In52Sn48、Au80Sn20、SAC305、Sn90Sb10、Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2等预成型焊片（可无助焊剂共晶焊接）、各种成份的焊膏、及500度以下材料的固化。 

焊接空洞率： 

HV3-3型真空烧结炉在软钎焊料焊接时，经过大量客户验证，空洞率可控制在0-3%之间。 

控温系统及测温系统

11.1 HV3-3型真空烧结炉采用中科同志的控温技术，控温精度在±1℃。 

11.2 HV3-3型真空烧结炉温度曲线可设定最多40段温度，并配置6组PID设定，更精准控制温度，保证焊接一致性及可靠性。温度控制属于滞后控，而PID控制是具有超前调节的作用，可提高控温精度以及稳定性。 

11.3 HV3-3型真空烧结炉腔体内标配4组测温热电偶，设备工作时可实时反馈腔体内任意位置的温度，并在控制软件中实时显示测温的温度曲线，更好的保证焊接区域的温度控制，为取得良好的工艺曲线提供支持。

腔体气氛环境 

HV3-3型真空烧结炉可充入氮气惰性气体辅助焊接，同时满足甲酸还原气氛工艺。工艺气氛可由时间或者由MFC质量流量计精准控制，保证每次设定工艺完成的一致性。设备自带密闭废气排气通道和过滤系统，通过排气通道处理及排出，保证设备正常使用。满足无助焊剂情况下焊接。 

HV3-3型真空共晶炉配置软件控制系统： 

软件控制系统基于Windows操作系统，操作简单。 

可通过温度、时间、压力、真空等工艺条件进行工艺编程，软件工艺自动控制整个工艺过程。 

工艺曲线编程的工艺动作无限多个，满足复杂工艺要求。 

控制系统满足各种焊接工艺曲线，并根据工艺不同进行设定、修改、存储、调用。 

控制系统自带分析功能，能对工艺曲线进行分析，确定升温、恒温、降温等信息。 

软件控制系统自动的实时记录焊接工艺及控温、测温曲线，保证器件工艺的可追溯性，按照工艺工作时间自动存储在相应目录。 

HV3-3型真空共晶炉采用闭合式腔体结构，保证长期使用的可靠性，使用过程中关闭上盖时不会造成器件移位，避免器件震动影响焊接质量。单腔室工艺同时满足加热和冷却的要求。 

HV3-3型真空共晶炉，上盖带有视窗，可通过CCD或显微镜观察器件烧结过程。上盖自动升降，除手工取放件外，其它操作软件自动控制完成。

【标 配】 

1、主机一台        2、工业级控制电脑一台       3、真空烧结炉控制软件系统一套         4、氮气气氛系统、甲酸气氛系统        5、MFC质量流量计一台       6、真空泵（机械干泵 +分子泵）        7、碳化硅涂层加热平台

【选 配】 

1、上加热系统      2、氮氢数字化混合气氛系统           3、正压模块         4、CCD视觉/显微镜       5、氮氢混合气气氛

北京中科同志科技股份有限公司（以下简称“中科同志”），专业从事半导体设备的研发、生产、销售并举的高新技术企业，产品主要包括银烧结设备、倒装芯片共晶贴片机、亚微米级贴片机、高精度粘片机、真空共晶炉、真空回流焊等。公司致力于碳化硅功率芯片的封装，纳米银烧结印刷机、纳米银贴片机、纳米银正压烧结炉、真空烧结炉，目前在车规级碳化硅MOSFET、大功率IGBT等领域有成熟的封装工艺。