焊接温度:HV3型真空共晶炉实际焊接最高温度≤500℃。
真 空 度:极限真空度≤10-4 Pa 工作真空:10-4Pa。
有效焊接面积:≤260mm*240mm
炉膛高度: ≤100mm,特殊高度定制。
加热方式:采用底部红外辐射加热+顶部红外辐射加热,热板采用半导体级碳化硅石墨平台,碳化硅石墨平台长期使用不易变形,而且具有很高导热性,使热板表面温度更加均匀。
温度均匀性:有效焊接面积内≤±2%。
升温速率:石墨加热平台最大升温速率≤120℃/min。
HV3真空共晶炉选上加热,提高加热效率的同时,使平台温度更加均匀,提高焊接一致性及质量,升温速率可控。
冷却速率:最大冷却速率60-120℃/min(空载最高温降温100℃的斜率)。
石墨加热平台:采用气冷+水冷结合冷却方式,实现热板的快速冷却,提高降温速率,并且实现在降温过程中温差过大造成器件烧结不良,降温速率可通过工艺进行控制,同时满足缓慢降温要求。
满足≤500℃的焊接材料焊接要求。
例如: In97Ag3、In52Sn48、Au80Sn20、SAC305、Sn90Sb10、Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2等预成型焊片(可无助焊剂共晶焊接)、各种成份的焊膏、及500度以下材料的固化。
焊接空洞率:
HV3型真空烧结炉在软钎焊料焊接时,经过大量客户验证,空洞率可控制在0-3%之间。
控温系统及测温系统
11.1 HV3型真空烧结炉采用同志科技的控温技术,控温精度在±1℃。
11.2 HV3型真空烧结炉温度曲线可设定最多40段温度,并配置6组PID设定,更精准控制温度,保证焊接一致性及可靠性。温度控制属于滞后控,而PID控制是具有超前调节的作用,可提高控温精度以及稳定性。
11.3 HV3型真空烧结炉腔体内标配4组测温热电偶,设备工作时可实时反馈腔体内任意位置的温度,并在控制软件中实时显示测温的温度曲线,更好的保证焊接区域的温度控制,为取得良好的工艺曲线提供支持。
腔体气氛环境
HV3型真空烧结炉可充入氮气惰性气体辅助焊接,同时满足甲酸还原气氛工艺。工艺气氛可由时间或者由MFC质量流量计精准控制,保证每次设定工艺完成的一致性。设备自带密闭废气排气通道和过滤系统,通过排气通道处理及排出,保证设备正常使用。满足无助焊剂情况下焊接。
HV3型真空共晶炉配置软件控制系统:
软件控制系统基于Windows操作系统,操作简单。
可通过温度、时间、压力、真空等工艺条件进行工艺编程,软件工艺自动控制整个工艺过程。
工艺曲线编程的工艺动作无限多个,满足复杂工艺要求。
控制系统满足各种焊接工艺曲线,并根据工艺不同进行设定、修改、存储、调用。
控制系统自带分析功能,能对工艺曲线进行分析,确定升温、恒温、降温等信息。
软件控制系统自动的实时记录焊接工艺及控温、测温曲线,保证器件工艺的可追溯性,按照工艺
工作时间自动存储在相应目录。
HV3型真空共晶炉采用闭合式腔体结构,保证长期使用的可靠性,使用过程中关闭上盖时不会造成器件移位,避免器件震动影响焊接质量。单腔室工艺同时满足加热和冷却的要求。
HV3型真空共晶炉,上盖带有视窗,可通过CCD或显微镜观察器件烧结过程。上盖自动升降,除手工取放件外,其它操作软件自动控制完成。
【标 配】
1、主机一台 2、工业级控制电脑一台 3、真空烧结炉控制软件系统一套 4、氮气气氛系统、甲酸气氛系统 5、MFC质量流量计一台 6、真空泵(机械干泵 +分子泵) 7、碳化硅涂层加热平台
【选 配】
1、上加热系统 2、氮氢数字化混合气氛系统 3、正压模块 4、CCD视觉/显微镜 5、氮氢混合气气氛
北京中科同志科技股份有限公司(以下简称“中科同志”),专业从事半导体设备的研发、生产、销售并举的高新技术企业,产品主要包括银烧结设备、倒装芯片共晶贴片机、亚微米级贴片机、高精度粘片机、真空共晶炉、真空回流焊等。公司致力于碳化硅功率芯片的封装,纳米银烧结印刷机、纳米银贴片机、纳米银正压烧结炉、真空烧结炉,目前在车规级碳化硅MOSFET、大功率IGBT等领域有成熟的封装工艺。
型号 | HV3 |
焊接面积 | 260mm*240mm |
炉膛高度 | 100mm(其它高度可选) |
额定功率 | 14kw |
了解更多产品信息,请扫码咨询。 |